Au lieu d'utiliser directement un SSD, je vais utiliser une carte CompactFlash dans un adaptateur CompactFlash vers IDE.
Comme je l'avais expliqué dans l'article sur les CompactFlash, en mode TrueIDE les cartes CompactFlash sont virtuellement reconnues comme des disques durs.
L'installation d'un système XPe nécessite au préalable la configuration et la compilation d'une image XPe. En clair XPe est un système configurable, que l'on spécialise généralement pour une application et/ou pour une machine cible particulière. On n'installe donc que les pilotes et composants nécessaires à son fonctionnement. Cela permet d'une part de gagner énormément sur la place occupé par le système en mémoire sur le disque dur et dans la ram. Une image quasi complète de Windows XPe peut peser environ 300 Mo contre près de 2 Go pour un Windows XP standard, on peut de cette façon, si l'on souhaite un système minimum créer une image bootable d'une dizaine de Mo. Le temps de boot est par la même occasion énormément raccourci.
Temperature Vibration Shock Altitude Flash Drive 0 to 70 C 15 G 1000 G 80,000 feet Hard Drive -20 to 85 C 1 G 250 G 10,000 feet
Vibration: maximum peak to peak movement to cause temporary loss of data. Shock: maximum impact to cause permanent damage.
Mean Time between failures for Hard Drive. 3 years Mean Time between failures for Compact Flash Drive in Read only mode. 10 years Mean Time between failures for Compact Flash Drive in Read/Write mode. 0.3 year
Assumptions:
1. Average cluster size is 1,000. Each cluster requires dedicated charge pump and steering logic. Most manufacturers implement less than 1,000 clusters, even for 1G CF.
2. Average write limit is 100,000. Most existing Compact Flash are graded for 100,000 write cycles. Newer standard Compact Flash are graded for 300,000 write cycles. Newest industrial Compact Flash are graded for 2,000,000 write cycles.
3. Average write speed is 1.7MB. This is limited by the 16 bit IDE interface.
Writing 1.7 MB per second = 100,000 / 86400 = 6.7 days MTBF Write over every cluster.
Writing 1 byte per second = 100,000 * 1000 / 86400 = 11500 days MTBF Spread over entire drive.
This is assuming that the sector translation table is stored in EEPROM, which has a typical life time of 1,000,000. So, the sector translation table will wear out long before the actual sectors.
i.e.: 1,000,000 / 86400 = 115 days MTBF
In conclusion, the Compact Flash Drive should be treated more like a CD-RW then a hard disk. Mount the file system read-only and remount for read-write only if necessary.
Je vous soumet cet article parce que je ne sais pas quoi penser des compact flash les plus performantes aujourd'hui: 300X 16 Go
Combien de temps fonctionneront-elles correctement avec un usage identique à celui d'un disque dur. Usage intensif, plusieurs heures par jour ou au moins 4H par jour.
Une petite info qui ne me semble pas inutile, d'après les datadsheets Transcend le nombre de cycle de programmation/effacement est de 2 millions pour une carte industrielle contre 1 million pour une carte grand public comme les 266x. Dans certain cas il pourrait être intéressant de payer un peu plus cher dès le départ pour une durée de vie deux fois plus importante. Néanmoins les mémoires flash sont de plus en plus performante, les prix baisses, alors ....à voir.
Prenons un fabricant, par exemple Hitachi, voici un graphique qui situe l'évolution: http://cn.renesas.com/fmw[...]oducts/memory/ag_and_flash_memory/&site=i et prenons la puce HN29V102414: la mémoire est organisée en blocs ou secteurs, à la façon d'un disque dur, avec trois bits supplémentaires par secteur pour la détection d'erreur et la correction d'erreurs par le remplacement de blocs défectueux par une réserve de blocs libres (de 1,8% du total). Sur base de cette technologie hyper sophistiquée, hitachi annonce 300.000 cycles d'écritures/lectures (page 4 et 42 du datasheet http://documentation.rene[...]1265_hn29v102414.pdf Ils utilisent la technique du Wear Leveling, pour ne pas toujours écrire dans la même case ( SanDisk donne un papier vachement optimiste sur http://www.sandisk.com/pd[...]perWearLevelv1.0.pdf Tandis que chez kingston http://www.kingston.com/products/DMTechGuide.pdf on peut lire que l'inventeur de la flash memory, Toshiba, annonçait 10.000 cycles d'écritures , qu'il estimaient amplement suffisant pour les applications classiques, puisqu'en considérant un lecteur MP3 USB qu'on reprogrammerait une fois par jour complètement, il tiendrait 27 ans.
Quels modèles sont des cartes industrielles (ou dites professionnelles)? Où les trouve-t-on? Les modèles sur eBay peuvent-il être industriels? (dans la gamme 266 ou 300x en 8 et 16 go)
a même que les SSD (même contrôleur en haut de gamme) :
-pas de problème en lecture -en écriture, c'est 100 000 cycles par cellule, mais avec une rotation des données sur tout le support. Tant que le support offre une capacité correcte (genre plus de 8 Go), c'est bon pour la durée de vie (plusieurs années en écriture continue)
faut juste éviter els CF d'entrée de gamme en MLC (pourrie en écriture et durée de vie) joce 09/08/2007 18:30 Masquer Insérer une citation. | -0+ joce Oui enfin la rotation des donnees a ses limites si ton support est plein a craquer, et la les 100000 cycles doivent etre tres vite atteint non ? Dandu 09/08/2007 18:44 Masquer Insérer une citation. | -0+ Dandu non, parce que les blocs tournent sur tout l'espace, pas uniquement sur le libre (le contrôleur gère ça au niveau des blocs) il déplace les données automatiquement sur le bloc le moins usé
c'est expliqué dans l'article sur les SSD
en pratique, j'ai Windows depuis plusieurs mois sur une carte de 2 Go et pas de problèmes pour le moment.
en faisant la calcul, si on écrit au max du support en permanence (c'est irréaliste, sauf peut-etre pour un forum comme MD) on a une durée de vie de plusieurs années. et plus la capacité augmente, plus la durée de vie augmente.
